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AOT27S60 from AOS

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AOT27S60

Manufacturer: AOS

600V 27A a MOS TM Power Transistor

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AOT27S60 AOS 50 In Stock

Description and Introduction

600V 27A a MOS TM Power Transistor The AOT27S60 is a power MOSFET manufactured by Alpha and Omega Semiconductor (AOS). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: Alpha and Omega Semiconductor (AOS)  
- **Part Number**: AOT27S60  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS)**: 60V  
- **Current Rating (ID)**: 27A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD)**: 75W  
- **RDS(ON) (Max)**: 0.027Ω (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These are the factual specifications for the AOT27S60 MOSFET.

Application Scenarios & Design Considerations

600V 27A a MOS TM Power Transistor # Technical Datasheet: AOT27S60 Power MOSFET

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The AOT27S60 is a 600V, 27A N-channel MOSFET designed for high-voltage switching applications. Its primary use cases include:

-  Switch-Mode Power Supplies (SMPS) : Particularly in PFC (Power Factor Correction) stages, flyback converters, and forward converters operating at switching frequencies up to 100 kHz
-  Motor Control Systems : For driving brushless DC (BLDC) motors and induction motors in industrial automation and appliance applications
-  Inverter Circuits : In solar inverters, UPS systems, and welding equipment requiring robust high-voltage switching
-  Lighting Systems : High-power LED drivers and HID ballasts where efficient power conversion is critical

### 1.2 Industry Applications
-  Industrial Automation : Motor drives, robotic systems, and CNC machinery
-  Renewable Energy : Solar microinverters, charge controllers, and power optimizers
-  Consumer Electronics : High-end gaming PCs, server power supplies, and large-format displays
-  Automotive Systems : On-board chargers for electric vehicles (secondary systems) and industrial vehicle power systems
-  Telecommunications : Base station power supplies and network equipment power distribution

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(on) : Typically 0.085Ω (max) at VGS = 10V, reducing conduction losses
-  Fast Switching : Low gate charge (QG ≈ 60 nC typical) enables efficient high-frequency operation
-  Avalanche Energy Rated : Robustness against voltage spikes and inductive load switching
-  Improved dv/dt Immunity : Reduced susceptibility to parasitic turn-on in bridge configurations
-  Thermal Performance : Low thermal resistance junction-to-case (RθJC ≈ 0.5°C/W)

 Limitations: 
-  Gate Drive Requirements : Requires proper gate drive circuitry; not suitable for simple linear applications
-  Parasitic Capacitance : High output capacitance (COSS) can limit ultra-high frequency performance (>200 kHz)
-  Voltage Derating : Recommended to operate at ≤80% of rated voltage (480V) for reliability in harsh environments
-  SOA Constraints : Limited safe operating area at high voltage and current simultaneously

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Driving 
-  Problem : Slow switching transitions due to insufficient gate drive current, leading to excessive switching losses
-  Solution : Implement dedicated gate driver IC (e.g., IR2110, UCC27524) capable of 2-3A peak current with proper pull-down resistance

 Pitfall 2: Parasitic Oscillations 
-  Problem : Ringing during switching transitions caused by PCB trace inductance and device capacitance
-  Solution : Minimize gate loop area, use gate resistors (2-10Ω), and implement RC snubbers across drain-source

 Pitfall 3: Thermal Management Issues 
-  Problem : Junction temperature exceeding 150°C due to inadequate heatsinking
-  Solution : Calculate power dissipation (P = RDS(on) × I² + switching losses) and select heatsink maintaining TJ < 125°C

 Pitfall 4: Avalanche Stress 
-  Problem : Repetitive avalanche operation without proper derating
-  Solution : Limit avalanche energy using clamp circuits or select alternative device if frequent avalanche is expected

### 2.2 Compatibility Issues with Other Components

 Gate Drivers: 
- Compatible with most 12-15V gate drive ICs
- Avoid drivers with slow rise/fall times (>50 ns)
- Ensure driver can handle Miller plateau

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