60V N-Channel MOSFET The AOT262L is a MOSFET manufactured by Alpha & Omega Semiconductor (AOS). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Manufacturer**: Alpha & Omega Semiconductor (AOS)  
2. **Part Number**: AOT262L  
3. **Type**: N-Channel MOSFET  
4. **Voltage Rating (VDS)**: 30V  
5. **Current Rating (ID)**: 50A (continuous)  
6. **RDS(ON)**: 2.6mΩ (max) at VGS = 10V  
7. **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 1.5V (typical)  
8. **Power Dissipation (PD)**: 125W  
9. **Package**: TO-262 (TO-263AB)  
10. **Applications**: Power management, DC-DC converters, motor control  

For exact performance characteristics and reliability data, refer to the official AOS datasheet.

60V N-Channel MOSFET # Technical Documentation: AOT262L N-Channel Enhancement Mode MOSFET

 Manufacturer : Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
 Document Version : 1.0
 Last Updated : October 26, 2023

---

## 1. Application Scenarios

The AOT262L is a low-voltage, low on-resistance (R_DS(on)) N-Channel Enhancement Mode MOSFET fabricated with AOS's advanced AlphaMOS™ technology. It is designed for high-efficiency power management in space-constrained applications.

### 1.1 Typical Use Cases

*    Load Switching:  Primary application is as a high-side or low-side switch for controlling power rails to subsystems (e.g., USB ports, peripheral modules, sensors) in battery-powered devices. Its low R_DS(on) minimizes voltage drop and power loss.
*    DC-DC Conversion:  Frequently employed in the synchronous buck converter topology as the low-side (synchronous) switch. Its fast switching characteristics and excellent FOM (Figure of Merit, Q_g * R_DS(on)) enhance converter efficiency.
*    Motor Drive Control:  Suitable for driving small brushed DC motors or as part of an H-bridge for low-current stepper/servo motors in portable electronics, robotics, and automotive auxiliary systems.
*    Battery Protection:  Used in discharge path control circuits within Battery Management Systems (BMS) for portable devices and power tools, leveraging its low gate threshold voltage for compatibility with low-voltage logic.

### 1.2 Industry Applications

*    Consumer Electronics:  Smartphones, tablets, laptops, wearables, and Bluetooth accessories for power sequencing, load switching, and charger circuit switching.
*    Computing & Storage:  Point-of-load (POL) converters on motherboards, SSD power management, and hot-swap circuits in servers and networking equipment.
*    Automotive:  Body control modules (e.g., window lift, seat control, LED lighting), infotainment systems, and 12V/24V battery management in non-safety-critical domains (requires verification against specific AEC-Q101 qualified parts).
*    Industrial & IoT:  Portable measurement devices, smart sensors, gateways, and low-power actuator controls where efficiency and board space are critical.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    High Efficiency:  Extremely low R_DS(on) (e.g., < 2.0 mΩ typical at V_GS=4.5V) directly reduces conduction losses (I²R).
*    Space-Efficient:  Available in compact packages like DFN 3x3 or similar, ideal for modern high-density PCB designs.
*    Logic-Level Compatible:  Low gate drive voltage requirement (V_GS(th) typically ~1V) allows direct drive from 3.3V or 5V microcontrollers without a dedicated gate driver in many cases.
*    Fast Switching:  Low gate charge (Q_g) and output charge (Q_oss) minimize switching losses, crucial for high-frequency DC-DC converters.

 Limitations: 
*    Voltage Rating:  Typically rated for 30V or similar, restricting use to low-voltage bus systems (e.g., 12V input, 5V/3.3V outputs). Not suitable for mains-connected or high-voltage industrial applications.
*    Thermal Performance:  The small package has a higher junction-to-ambient thermal resistance (R_θJA). Continuous high-current operation requires careful thermal management.
*    Gate Sensitivity:  Like all MOSFETs, it is susceptible to Electrostatic Discharge (ESD) damage. The thin gate