IC Phoenix logo

Home ›  A  › A61 > AOT1608L

AOT1608L from AOS

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

AOT1608L

Manufacturer: AOS

60V N-Channel Rugged Planar MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AOT1608L AOS 50 In Stock

Description and Introduction

60V N-Channel Rugged Planar MOSFET The part AOT1608L is manufactured by Alpha and Omega Semiconductor (AOS). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: Alpha and Omega Semiconductor (AOS)  
- **Part Number**: AOT1608L  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS)**: 60V  
- **Current Rating (ID)**: 16A  
- **RDS(ON)**: 8.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (PD)**: 3.1W  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the confirmed specifications for the AOT1608L MOSFET from AOS.

Application Scenarios & Design Considerations

60V N-Channel Rugged Planar MOSFET # Technical Documentation: AOT1608L N-Channel Enhancement Mode MOSFET

 Manufacturer:  Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
 Document Version:  1.0
 Last Updated:  October 26, 2023

---

## 1. Application Scenarios

The AOT1608L is a small-signal, N-Channel Enhancement Mode MOSFET housed in a compact SOT-23 package. It is optimized for low-voltage, high-frequency switching applications where board space and efficiency are critical.

### 1.1 Typical Use Cases

*    Load Switching:  Primary application is as a low-side switch to control power to subsystems, sensors, LEDs, or other peripherals in battery-powered devices. Its low `R_DS(on)` minimizes voltage drop and power loss.
*    Power Management in Portable Electronics:  Used within DC-DC converter circuits (e.g., synchronous buck converters) as the switching or synchronous rectification element. Its fast switching characteristics improve converter efficiency.
*    Signal Gating and Level Translation:  Employed in analog or digital multiplexing circuits and for simple logic-level translation between different voltage domains (e.g., 1.8V to 3.3V), thanks to its low threshold voltage (`V_GS(th)`).
*    Protection Circuits:  Integrated into hot-swap or reverse-polarity protection circuits to safely connect/disconnect loads.

### 1.2 Industry Applications

*    Consumer Electronics:  Smartphones, tablets, wearables, Bluetooth headsets, and digital cameras for power sequencing and battery management.
*    Computing:  Motherboards, SSDs, and USB-powered devices for peripheral power control and voltage regulation.
*    IoT & Embedded Systems:  Sensor nodes, gateways, and handheld instruments where low quiescent current and small footprint are paramount.
*    Automotive (Infotainment/Comfort):  Non-critical, low-voltage subsystems like interior lighting, sensor interfaces, and USB charging ports (subject to specific AEC-Q101 qualified variants; verify part number suffix).

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    High Efficiency:  Very low on-state resistance (`R_DS(on)`) reduces conduction losses.
*    Fast Switching:  Low gate charge (`Q_g`) and capacitances (`C_iss`, `C_oss`, `C_rss`) enable high-frequency operation, reducing the size of passive components.
*    Space-Efficient:  SOT-23 package is ideal for densely populated PCBs.
*    Logic-Level Compatible:  Can be fully turned on with gate-source voltages (`V_GS`) as low as 2.5V, making it directly compatible with modern microcontrollers and FPGAs.
*    Robustness:  Integrated ESD protection diode on the gate enhances handling reliability.

 Limitations: 
*    Limited Power Handling:  Package thermal resistance restricts continuous current (`I_D`) and power dissipation. Not suitable for high-current motor drives or primary power switching above a few amperes.
*    Voltage Constraint:  Maximum `V_DS` of 20V limits use to low-voltage bus systems (e.g., 5V, 12V rails).
*    Sensitivity to Layout:  High-speed performance is highly dependent on PCB layout to minimize parasitic inductance.

---

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

*    Pitfall 1: Gate Overvoltage (`V_GS > ±8V`). 
    *    Risk:  Permanent damage to the gate oxide.
    *    Solution:  Ensure the driving circuit's output does not exceed the absolute maximum rating. Use a resistor divider or clamp circuit if necessary. A small series gate resistor (`R_g`) also helps dampen ringing.

*    Pitfall 2

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips