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AON7508 from AOS

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AON7508

Manufacturer: AOS

30V N-Channel AlphaMOS

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AON7508 AOS 50 In Stock

Description and Introduction

30V N-Channel AlphaMOS The AON7508 is a Power MOSFET manufactured by Alpha and Omega Semiconductor (AOS). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: Alpha and Omega Semiconductor (AOS)  
- **Part Number**: AON7508  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS)**: 30V  
- **Current Rating (ID)**: 60A (at 25°C)  
- **RDS(ON)**: 4.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Charge (Qg)**: 35nC (typical)  
- **Package**: DFN 5x6  

These are the factual specifications available for the AON7508.

Application Scenarios & Design Considerations

30V N-Channel AlphaMOS # Technical Documentation: AON7508 Power MOSFET

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The AON7508 is a high-performance N-channel MOSFET designed for demanding power management applications. Its primary use cases include:

 DC-DC Converters : The component excels in synchronous buck converter topologies, particularly in high-frequency switching applications (up to 1MHz). Its low RDS(on) and fast switching characteristics make it ideal for both high-side and low-side switching positions in multi-phase voltage regulator modules (VRMs).

 Load Switching : The MOSFET serves as an efficient power switch for hot-swap applications, power distribution, and load disconnect circuits. Its robust SOA (Safe Operating Area) allows it to handle inrush current conditions during capacitive load charging.

 Motor Control : In brushed DC motor drive circuits, the AON7508 provides efficient PWM control with minimal switching losses. Its low gate charge enables precise speed control in robotics, automotive window/lift systems, and small appliance motors.

### 1.2 Industry Applications

 Computing & Servers : 
- CPU/GPU voltage regulation modules (VRMs)
- Memory power delivery (DDR4/DDR5 VDDQ)
- Point-of-load (POL) converters in server backplanes
- SSD power management in data centers

 Automotive Electronics :
- LED lighting drivers (headlights, interior lighting)
- Power window/lift motor controllers
- Infotainment system power management
- Advanced driver assistance systems (ADAS) power distribution

 Consumer Electronics :
- Laptop DC-DC conversion circuits
- Gaming console power delivery networks
- High-end audio amplifier power stages
- Fast-charging circuits for mobile devices

 Industrial Systems :
- PLC I/O module power switching
- Industrial motor drives under 100W
- Power supply unit (PSU) secondary-side rectification
- Battery management system (BMS) protection circuits

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  Low RDS(on) : 1.8mΩ typical at VGS=10V enables high efficiency in power conversion
-  Fast Switching : Typical rise/fall times <10ns reduce switching losses at high frequencies
-  Thermal Performance : DFN 5x6 package with exposed pad provides excellent thermal dissipation (RθJA ~40°C/W)
-  Avalanche Rated : Robustness against inductive switching events enhances reliability
-  Low Gate Charge : Qg ~60nC typical allows for simpler, more efficient gate drive circuits

 Limitations :
-  Voltage Constraint : Maximum VDS of 30V limits use in offline or high-voltage applications
-  Package Sensitivity : DFN package requires precise PCB assembly processes
-  Gate Sensitivity : Maximum VGS of ±20V requires careful gate drive design to prevent overvoltage
-  Current Handling : Continuous current rating of 75A requires adequate thermal management in sustained high-current applications

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Driving 
*Problem*: Using inappropriate gate drivers leads to slow switching, excessive losses, and potential shoot-through in bridge configurations.
*Solution*: Implement dedicated gate drivers with 2-5A peak current capability. Maintain gate drive voltage between 5-12V for optimal RDS(on) versus switching loss balance.

 Pitfall 2: Thermal Management Oversight 
*Problem*: Underestimating power dissipation leads to thermal runaway and premature failure.
*Solution*: Calculate worst-case power dissipation (P = I² × RDS(on) + switching losses). Ensure adequate copper area (minimum 1in²) connected to thermal pad. Consider thermal vias (4-8 vias, 0.3

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