**Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Power Dissipation (Ptot):** 1.5 W  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30 V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 15 V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3 V  
- **Collector Current (IC):** 1 A  
- **Transition Frequency (fT):** 500 MHz  
- **Gain (hFE):** 40 - 320  
- **Package:** TO-92  

This information is based on the manufacturer's datasheet.