8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory The AM29LV081B-70EI is a 8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory device manufactured by AMD (Advanced Micro Devices). Here are its key specifications:

- **Memory Size:** 8 Megabits (1 Megabyte)
- **Organization:** 1M x 8-Bit
- **Supply Voltage:** 2.7V to 3.6V (3.0V nominal)
- **Access Time:** 70 ns
- **Sector Architecture:**  
  - Eight 16 KByte sectors  
  - Two 8 KByte sectors  
  - One 32 KByte sector  
  - Fifteen 64 KByte sectors  
- **Operating Temperature Range:** Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)
- **Interface:** Parallel (x8)
- **Programming Voltage:** 3.0V (no external high voltage required)
- **Endurance:** Minimum 100,000 write/erase cycles per sector
- **Data Retention:** 20 years minimum
- **Command Set:** JEDEC-standard
- **Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 15 mA (typical)  
  - Standby Current: 1 µA (typical)  

This device supports sector erase and full-chip erase operations, along with byte programming. It is designed for high-performance, low-power applications in industrial environments.

8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory The AM29LV081B-70EI is a flash memory device manufactured by AMD. Here are its key specifications:

- **Memory Type**: Flash  
- **Memory Format**: NOR  
- **Density**: 8 Mbit (1M x 8-bit or 512K x 16-bit)  
- **Supply Voltage**: 2.7V to 3.6V  
- **Speed**: 70 ns access time  
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package**: 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface**: Parallel  
- **Sector Architecture**: Uniform 64 KB sectors  
- **Endurance**: 100,000 write/erase cycles per sector  
- **Data Retention**: 20 years  

This device supports both byte and word reads, with a synchronous burst mode for faster access. It is compatible with JEDEC standards.