64 Megabit (8 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIOTM Control The AM29LV065DU-120REI is a flash memory device manufactured by AMD. Here are its key specifications:

- **Density**: 64 Megabit (8 MByte)
- **Organization**: 8,192K x 8-bit or 4,096K x 16-bit
- **Supply Voltage**: 2.7V to 3.6V
- **Access Time**: 120 ns
- **Package**: 48-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C
- **Interface**: Asynchronous
- **Sector Architecture**: Uniform 64K-byte sectors
- **Endurance**: Minimum 100,000 write cycles per sector
- **Data Retention**: 20 years minimum
- **Commands**: JEDEC standard and AMD-specific
- **Power Consumption**: Active read current (typical) 15 mA, standby current (typical) 1 µA

This device is designed for high-performance, low-power applications.

64 Megabit (8 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIOTM Control The AM29LV065DU-120REI is a flash memory device manufactured by AMD (Advanced Micro Devices). Here are its key specifications:

- **Density**: 64 Megabit (8 MByte)
- **Organization**: 8,192K x 8-bit or 4,096K x 16-bit
- **Supply Voltage**: 2.7V to 3.6V (single power supply)
- **Access Time**: 120 ns
- **Package**: 48-ball Fine-pitch Ball Grid Array (FBGA)
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C (Industrial)
- **Interface**: Asynchronous
- **Sector Architecture**: Uniform 128KByte sectors
- **Endurance**: Minimum 100,000 write/erase cycles per sector
- **Data Retention**: 20 years minimum
- **Command Set**: JEDEC-standard
- **Program/Erase Time**: 
  - Byte Program Time: 9 µs (typical)
  - Sector Erase Time: 0.7s (typical)
  - Chip Erase Time: 32s (typical)
- **Power Consumption**:
  - Active Read Current: 15 mA (typical)
  - Standby Current: 1 µA (typical)

This device supports both x8 and x16 configurations and is designed for industrial applications.