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AM27C256-70DI from AMD

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AM27C256-70DI

Manufacturer: AMD

256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS EPRO

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
AM27C256-70DI,AM27C25670DI AMD 2460 In Stock

Description and Introduction

256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS EPRO The AM27C256-70DI is a 256K-bit (32K x 8) UV erasable and electrically programmable read-only memory (EPROM) manufactured by AMD. Key specifications include:

- **Organization**: 32K x 8 bits
- **Access Time**: 70 ns
- **Operating Voltage**: 5V ± 10%
- **Programming Voltage**: 12.75V ± 0.25V
- **Power Dissipation**:
  - Active: 100 mA (max)
  - Standby: 40 mA (max)
- **Temperature Range**:
  - Commercial: 0°C to +70°C
  - Industrial: -40°C to +85°C
- **Package**: 28-pin DIP (Dual In-line Package)
- **Technology**: CMOS
- **Data Retention**: 10 years minimum
- **Programming Method**: Fast programming algorithm
- **UV Erasure**: 15-20 minutes under UV light (2537 Å, 12,000 µW/cm²)

This device is designed for applications requiring non-volatile memory with high reliability and performance.

Application Scenarios & Design Considerations

256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS EPRO # AM27C25670DI Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The AM27C25670DI is a 256K-bit (32K x 8) UV-erasable CMOS EPROM designed for applications requiring non-volatile memory storage with field programmability. Key use cases include:

-  Firmware Storage : Primary application for storing microcontroller and microprocessor firmware in embedded systems
-  Boot Code Storage : Critical for system initialization routines in computing and industrial control systems
-  Configuration Data : Storage of system parameters and calibration data in industrial automation
-  Look-up Tables : Mathematical functions and conversion tables in signal processing applications
-  Program Patches : Field updates for legacy systems requiring UV erasure capability

### Industry Applications
-  Industrial Control Systems : PLCs, CNC machines, and process control equipment where radiation hardening is not required
-  Telecommunications : Legacy communication equipment and network infrastructure
-  Automotive Electronics : Engine control units and infotainment systems in vehicles manufactured before widespread EEPROM adoption
-  Medical Devices : Diagnostic equipment and patient monitoring systems requiring reliable non-volatile storage
-  Military/Aerospace : Ground support equipment and training systems (note: not radiation-hardened version)

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Reliability : CMOS technology provides excellent data retention (typically 10+ years)
-  Radiation Tolerance : Superior to dynamic RAM in radiation environments
-  Cost-Effective : Economical solution for medium-volume production runs
-  Field Programmable : UV erasure allows multiple programming cycles (typically 100+ cycles)
-  Low Power Consumption : CMOS technology enables low standby current (100 μA typical)

 Limitations: 
-  UV Erasure Requirement : Requires specialized UV erasure equipment and 15-20 minute exposure time
-  Limited Endurance : 100-1000 program/erase cycles maximum
-  Package Constraints : Ceramic DIP package with quartz window increases cost and size
-  Obsolete Technology : Being phased out in favor of Flash memory and EEPROM
-  Slow Erasure Cycle : Cannot be electrically erased like modern non-volatile memories

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Insufficient UV Protection 
-  Issue : Ambient UV light causing unintended data corruption
-  Solution : Apply opaque label over window after programming; ensure proper housing design

 Pitfall 2: Programming Voltage Mismanagement 
-  Issue : VPP outside 12.5V ±0.5V range causing reliability issues
-  Solution : Implement precise voltage regulation with ±1% tolerance power supply

 Pitfall 3: Address Transition Detection (ATD) Timing 
-  Issue : Race conditions during address changes leading to data corruption
-  Solution : Ensure stable address signals with proper setup/hold times (tACC = 200 ns max)

 Pitfall 4: Power Sequencing 
-  Issue : Applying VPP before VCC causing latch-up and permanent damage
-  Solution : Implement proper power-up sequence: VCC first, then VPP; reverse for power-down

### Compatibility Issues

 Microcontroller Interfaces: 
-  8-bit MCUs : Direct compatibility with 8051, Z80, 6800 families
-  16/32-bit Processors : Requires wait state insertion for slower access times
-  Modern Systems : May need level shifters for 3.3V systems (original 5V operation)

 Bus Compatibility: 
-  TTL Compatibility : Fully TTL-compatible inputs and outputs
-  CMOS Compatibility : Compatible with HC/HCT logic families
-  Mixed Voltage Systems : Requires careful attention to VIH/VIL levels in 3.3V/5V mixed

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