1M X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The part A42L0616V-50U is manufactured by AMIC. It is a 64Mb (4M x 16) Low Power CMOS Synchronous DRAM. The device operates at a voltage range of 2.7V to 3.6V and has a 50ns access time. It features a fully synchronous operation with all signals registered on the positive edge of the clock signal. The device supports burst read and write operations, and it has a programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page. It also includes an auto refresh and self refresh mode for power saving. The package type is 54-pin TSOP II.

1M X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE Part A42L0616V-50U is manufactured by AMIN. The specifications for this part are as follows:

- **Type**: Resolver
- **Voltage**: 50V
- **Frequency**: 2.5 kHz to 10 kHz
- **Operating Temperature**: -55°C to +125°C
- **Storage Temperature**: -55°C to +125°C
- **Weight**: 0.5 lbs (227 grams)
- **Mounting**: Flange Mount
- **Shaft Diameter**: 0.25 inches (6.35 mm)
- **Electrical Angle**: 360 degrees
- **Insulation Resistance**: 100 MΩ min at 500V DC
- **Dielectric Strength**: 500V RMS at 50/60 Hz for 1 minute

These are the factual specifications provided for part A42L0616V-50U by AMIN.

1M X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The **A42L0616V-50U** is a high-performance electronic component designed for applications requiring reliable memory storage and fast data access. This device is a **16Mbit (2M x 8-bit) Low-Voltage CMOS SRAM** with a standby current of just **50µA**, making it an energy-efficient choice for battery-powered and portable devices.  

Operating at a voltage range of **2.7V to 3.6V**, the A42L0616V-50U ensures stable performance in low-power environments while maintaining high-speed access times of **50ns**. Its **asynchronous operation** allows for straightforward integration into various digital systems, including embedded controllers, networking equipment, and industrial automation devices.  

The component features a **wide temperature range** (-40°C to +85°C), ensuring reliable functionality in harsh environments. Its **TSOP-II package** provides a compact footprint, making it suitable for space-constrained designs.  

Engineers value the A42L0616V-50U for its **low power consumption, high-speed performance, and robust design**, making it a dependable solution for applications where efficiency and reliability are critical. Whether used in medical devices, automotive systems, or consumer electronics, this SRAM module delivers consistent performance under demanding conditions.  

For detailed specifications, always refer to the official datasheet to ensure compatibility with your design requirements.

1M X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The part A42L0616V-50U is manufactured by NP (Nippon Chemi-Con). It is an aluminum electrolytic capacitor with the following specifications:

- Capacitance: 6,000 µF (microfarads)
- Voltage Rating: 50 V (volts)
- Tolerance: ±20%
- Operating Temperature Range: -40°C to +105°C
- Lifetime: 2,000 hours at 105°C
- Diameter: 35 mm
- Height: 50 mm
- Lead Spacing: 10 mm
- Ripple Current: 3.45 A at 120 Hz, 4.88 A at 10 kHz
- ESR (Equivalent Series Resistance): 0.018 Ω at 20°C, 120 Hz

This capacitor is typically used in power supply circuits and other applications requiring high capacitance and voltage ratings.