AC Film Capacitors Lighting Part A1306 is a transistor manufactured by Toshiba. It is a PNP silicon epitaxial planar transistor, commonly used for general-purpose amplification and switching applications. The key specifications for the Toshiba A1306 transistor are as follows:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on the specific variant and operating conditions)
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz (typical)
- **Package**: TO-92 (common through-hole package)

These specifications are typical for the A1306 transistor and may vary slightly depending on the specific variant or batch. Always refer to the official datasheet for precise details.