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95PF80 from VISHAY

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95PF80

Manufacturer: VISHAY

800V 95A Std. Recovery Diode in a DO-5 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
95PF80 VISHAY 90 In Stock

Description and Introduction

800V 95A Std. Recovery Diode in a DO-5 package The part number 95PF80 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Here are the key specifications:

- **Manufacturer**: Vishay
- **Part Number**: 95PF80
- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 80V
- **Current Rating (I_D)**: 95A
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W
- **RDS(ON) (Max)**: 0.0085Ω
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **Package**: TO-247

These specifications are based on the typical characteristics of the 95PF80 MOSFET as provided by Vishay.

Application Scenarios & Design Considerations

800V 95A Std. Recovery Diode in a DO-5 package# Technical Documentation: 95PF80 Power MOSFET

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 95PF80 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for demanding power management applications. Its primary use cases include:

 Power Conversion Systems 
- Switch-mode power supplies (SMPS) operating at frequencies up to 500 kHz
- DC-DC converters in both buck and boost configurations
- Uninterruptible power supplies (UPS) requiring high efficiency
- Motor drive circuits for industrial automation systems

 Load Switching Applications 
- Solid-state relay replacements
- Battery management systems
- Power distribution units
- Hot-swap controllers

### Industry Applications

 Automotive Electronics 
- Electric vehicle power trains
- Battery management systems
- LED lighting drivers
- Power window controllers
- Advanced driver assistance systems (ADAS)

 Industrial Automation 
- Programmable logic controller (PLC) output modules
- Motor drives and controllers
- Industrial power supplies
- Robotics power management

 Consumer Electronics 
- High-end gaming consoles
- Server power supplies
- High-power audio amplifiers
- Fast-charging systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(ON) : 8.5 mΩ maximum at VGS = 10 V enables high efficiency operation
-  Fast Switching : Typical switching frequency capability of 500 kHz reduces component size
-  High Current Handling : Continuous drain current rating of 95A supports high-power applications
-  Robust Construction : TO-220 package provides excellent thermal performance
-  Avalanche Rated : Capable of handling repetitive avalanche events

 Limitations: 
-  Gate Charge : 130 nC typical requires careful gate driver design
-  Package Size : TO-220 footprint may be large for space-constrained applications
-  Thermal Management : Requires proper heatsinking for maximum current operation
-  Voltage Limitation : 80V maximum VDS restricts use in higher voltage systems

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Insufficient gate drive current causing slow switching and increased losses
-  Solution : Use dedicated gate driver ICs capable of delivering 2-3A peak current
-  Implementation : Implement separate gate drive power supply with low impedance path

 Thermal Management 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking leading to thermal runaway
-  Solution : Calculate thermal resistance requirements based on maximum power dissipation
-  Implementation : Use thermal interface materials and proper mounting torque (0.6-0.8 N·m)

 Parasitic Oscillations 
-  Pitfall : High-frequency oscillations due to layout parasitics
-  Solution : Implement gate resistors (2.2-10Ω) close to MOSFET gate pin
-  Implementation : Use ferrite beads in gate circuit for high-frequency damping

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Drivers 
- Compatible with most industry-standard gate driver ICs (IR21xx, UCC27xxx series)
- Requires drivers with minimum 10V output capability for full RDS(ON) performance
- Avoid drivers with slow rise/fall times (>50ns)

 Protection Circuits 
- Overcurrent protection must account for fast switching transients
- Desaturation detection circuits require careful timing adjustment
- Snubber circuits may be necessary for inductive load switching

 Microcontroller Interfaces 
- 3.3V logic compatible with appropriate level shifting
- PWM frequency limitations based on switching characteristics
- Requires isolation in high-side configurations

### PCB Layout Recommendations

 Power Path Layout 
- Use wide copper pours for drain and source connections (minimum 50 mil width)
- Implement multiple vias for thermal management and current sharing
- Keep high-current loops as small as possible to minimize parasitic inductance

 Gate Drive

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