600V 8A HyperFast Discrete Diode in a TO-220AC package The part 8ETX06 is manufactured by IR (International Rectifier). It is a power MOSFET with the following specifications:

- **Voltage Rating (Vds):** 60V
- **Current Rating (Id):** 75A
- **Power Dissipation (Pd):** 200W
- **Gate Threshold Voltage (Vgs(th)):** 2V to 4V
- **Gate Charge (Qg):** 110nC (typical)
- **On-Resistance (Rds(on)):** 6.5mΩ (max) at Vgs = 10V
- **Package Type:** TO-220AB

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.