400V 8A Ultra-Fast Common Cathode Diode in a TO-220AB package The part 8ETU04 is manufactured by Infineon Technologies. It is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module designed for high-power applications. The key IR (Infrared) specifications for this part include:

- **Wavelength Range**: Typically operates in the infrared spectrum, but specific wavelength details are not explicitly provided in the datasheet.
- **Thermal Resistance (Rth(j-c))**: 0.25 K/W (junction to case).
- **Maximum Junction Temperature (Tj)**: 150°C.
- **Infrared Emissivity**: Not explicitly stated in the datasheet, but typical for semiconductor materials used in IGBT modules.

For precise IR-related specifications, refer to the official datasheet or contact Infineon Technologies directly.