600V 8A HyperFast Discrete Diode in a TO-220AC package The part 8ETH06 is a component manufactured by International Rectifier (IR). It is a HEXFET Power MOSFET designed for high-speed switching applications. The key specifications include a drain-source voltage (V_DS) of 60V, a continuous drain current (I_D) of 75A, and a low on-resistance (R_DS(on)) of 0.008 ohms. It features a TO-220AB package and is optimized for applications such as motor control, power supplies, and DC-DC converters. The device is designed to provide high efficiency and reliability in demanding environments.