300V 8A Ultra-Fast Discrete Diode in a D2-Pak (UltraFast) package The part 8ETH03S is a semiconductor device manufactured by International Rectifier (IR). It is a HEXFET Power MOSFET with the following IR specifications:

- Drain-Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 75A
- Power Dissipation (Pd): 200W
- Gate-Source Voltage (Vgs): ±20V
- Drain-Source On Resistance (Rds(on)): 0.0085Ω
- Operating Junction Temperature (Tj): -55°C to +175°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and represent the key electrical and thermal characteristics of the 8ETH03S MOSFET.