300V 8A Ultra-Fast Discrete Diode in a TO-262 package The part 8ETH03-1 is manufactured by Infineon Technologies. It is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module designed for high-power applications. The key IR (Infrared) specifications for this part include:

- **Infrared Reflow Soldering Compatibility**: The module is compatible with infrared reflow soldering processes, which are commonly used in surface-mount technology (SMT) for assembling electronic components.
- **Thermal Management**: The module is designed to handle high thermal loads, with a maximum junction temperature (Tj) of 150°C. It includes an integrated thermal management system to ensure reliable operation under high-temperature conditions.
- **Infrared Inspection**: The module can be inspected using infrared thermography to detect thermal anomalies or hotspots during operation, ensuring proper thermal performance and reliability.

These specifications are critical for ensuring the module's performance and reliability in high-power applications.