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88CNQ060A from IOR,International Rectifier

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88CNQ060A

Manufacturer: IOR

60V 80A Schottky Common Cathode Diode in a D61-8 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
88CNQ060A IOR 103 In Stock

Description and Introduction

60V 80A Schottky Common Cathode Diode in a D61-8 package The part 88CNQ060A is manufactured by IOR (International Rectifier), which is now part of Infineon Technologies. The 88CNQ060A is a power MOSFET designed for high-efficiency power conversion applications. Key specifications include:

- **Voltage Rating (Vds):** 600V
- **Current Rating (Id):** 88A
- **Rds(on):** 60mΩ (typical)
- **Package:** TO-247
- **Technology:** Super Junction MOSFET
- **Application:** Suitable for use in power supplies, motor drives, and other high-power switching applications.

These specifications are based on the typical characteristics of the 88CNQ060A as provided by the manufacturer.

Application Scenarios & Design Considerations

60V 80A Schottky Common Cathode Diode in a D61-8 package# Technical Documentation: 88CNQ060A Schottky Diode

*Manufacturer: IOR*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 88CNQ060A is a 60V, 8A dual center-tapped Schottky barrier rectifier specifically designed for high-efficiency power conversion applications. Its primary use cases include:

 Power Supply Rectification 
- Switch-mode power supply (SMPS) output rectification
- AC/DC converter secondary side rectification
- Freewheeling diode in buck, boost, and flyback converters
- OR-ing diode in redundant power systems

 Voltage Clamping and Protection 
- Reverse polarity protection circuits
- Voltage spike suppression
- Inductive load flyback protection

### Industry Applications
 Automotive Electronics 
- DC/DC converters in infotainment systems
- LED lighting drivers
- Battery management systems
- Electric vehicle power distribution

 Industrial Power Systems 
- Motor drive circuits
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Industrial automation controllers
- Renewable energy inverters

 Consumer Electronics 
- High-efficiency laptop adapters
- Gaming console power supplies
- High-power USB-C charging systems
- LCD/LED TV power boards

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  Low forward voltage drop  (typically 0.49V at 4A, 25°C) reduces power losses
-  Fast switching characteristics  minimize reverse recovery losses
-  High current capability  supports power-dense designs
-  Dual center-tapped configuration  simplifies circuit layout
-  Excellent thermal performance  through proper PCB mounting

 Limitations: 
-  Voltage derating required  at elevated temperatures
-  Limited reverse voltage capability  compared to silicon diodes
-  Thermal management critical  for high-current applications
-  Higher cost  than standard silicon rectifiers

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Thermal Management Issues 
-  Pitfall : Inadequate heat sinking leading to thermal runaway
-  Solution : Implement proper PCB copper area (≥ 2in² per diode) and consider additional heatsinking for currents >5A

 Voltage Overshoot 
-  Pitfall : Voltage spikes exceeding maximum ratings during switching
-  Solution : Use snubber circuits and ensure proper gate drive timing in synchronous applications

 Current Sharing 
-  Pitfall : Unequal current distribution in parallel configurations
-  Solution : Implement ballast resistors or ensure symmetrical layout

### Compatibility Issues
 Controller IC Compatibility 
- Compatible with most PWM controllers (UC384x, LTxxxx series)
- May require external gate drivers for high-frequency synchronous rectification

 Passive Component Requirements 
- Input/output capacitors must handle high ripple currents
- Ensure inductor saturation current exceeds peak diode current

 Thermal Interface Materials 
- Compatible with standard thermal pads and greases
- Maximum mounting torque: 0.6 N·m to avoid package damage

### PCB Layout Recommendations
 Power Stage Layout 
- Place diodes close to switching MOSFETs to minimize loop area
- Use wide, short traces for high-current paths
- Implement ground planes for improved thermal dissipation

 Thermal Design 
- Minimum 2oz copper thickness for power traces
- Use thermal vias under package for heat transfer to inner layers
- Maintain ≥3mm clearance from heat-sensitive components

 Signal Integrity 
- Keep sensitive analog traces away from diode switching nodes
- Implement proper bypass capacitor placement (100nF ceramic close to pins)

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations
 Absolute Maximum Ratings 
-  VRRM : 60V (Maximum Repetitive Reverse Voltage)
-  IO : 8A (Average Forward Current per diode)
-  IFSM :

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