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85CNQ015ASL from IR,International Rectifier

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85CNQ015ASL

Manufacturer: IR

15V 80A Schottky Common Cathode Diode in a D61-8-SL package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
85CNQ015ASL IR 1048 In Stock

Description and Introduction

15V 80A Schottky Common Cathode Diode in a D61-8-SL package The **85CNQ015ASL** from International Rectifier is a high-performance Schottky diode designed for demanding power electronics applications. This component features a low forward voltage drop and minimal reverse recovery time, making it an efficient choice for rectification in switching power supplies, DC-DC converters, and motor drive circuits.  

With a **15A average forward current** rating and a **60V reverse voltage** capability, the 85CNQ015ASL ensures reliable operation in high-current environments. Its Schottky barrier construction enhances switching speed while reducing power losses, contributing to improved thermal performance and system efficiency.  

Packaged in a **TO-220AB** form factor, this diode is suitable for through-hole mounting, providing robust mechanical stability and effective heat dissipation. The device is also characterized by its low leakage current, ensuring consistent performance across a wide temperature range.  

Engineers and designers often select the 85CNQ015ASL for its balance of efficiency, durability, and cost-effectiveness in power management solutions. Whether used in industrial automation, renewable energy systems, or automotive electronics, this Schottky diode delivers dependable performance under challenging conditions.

Application Scenarios & Design Considerations

15V 80A Schottky Common Cathode Diode in a D61-8-SL package# 85CNQ015ASL Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 85CNQ015ASL is a 15A, 600V dual silicon carbide Schottky diode in a TO-220-2L package, designed for high-efficiency power conversion applications. Typical use cases include:

 Primary Applications: 
-  Power Factor Correction (PFC) circuits  - Particularly in boost PFC configurations where low reverse recovery characteristics are critical
-  Switching power supplies  - High-frequency SMPS designs up to several hundred kHz
-  Motor drive circuits  - Inverter output stages and braking circuits
-  Solar inverters  - DC-AC conversion stages requiring high efficiency
-  Uninterruptible Power Supplies (UPS)  - Both online and line-interactive systems

 Specific Implementation Examples: 
-  Telecom power systems  - 48V input DC-DC converters
-  Industrial motor drives  - 3-phase inverter outputs
-  Server power supplies  - 80 Plus Titanium efficiency designs
-  Electric vehicle charging stations  - AC-DC conversion stages

### Industry Applications
 Automotive: 
- On-board chargers (OBC) for electric vehicles
- DC-DC converters in hybrid/electric vehicles
- Battery management systems

 Industrial: 
- Industrial motor drives and servo controllers
- Welding equipment power supplies
- Industrial UPS systems

 Renewable Energy: 
- Solar microinverters and string inverters
- Wind turbine power conversion systems
- Energy storage system (ESS) power converters

 Consumer/Commercial: 
- High-end gaming PC power supplies
- Data center server PSUs
- High-efficiency LED drivers

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Ultra-low reverse recovery  - Significantly reduces switching losses compared to silicon diodes
-  High temperature operation  - Capable of operation up to 175°C junction temperature
-  Zero reverse recovery current  - Eliminates reverse recovery related losses in hard-switching applications
-  Positive temperature coefficient  - Enables easy parallel operation for higher current applications
-  High surge current capability  - Withstands high inrush currents during startup

 Limitations: 
-  Higher cost  compared to equivalent silicon ultra-fast recovery diodes
-  Sensitivity to voltage spikes  - Requires careful snubber design in some applications
-  Gate driver requirements  - When used in synchronous rectification applications
-  Thermal management  - High power density requires effective heatsinking

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Voltage Overshoot and Ringing 
-  Issue:  Fast switching can cause voltage overshoot due to parasitic inductance
-  Solution:  Implement RC snubber circuits and optimize PCB layout to minimize loop inductance

 Pitfall 2: Thermal Management Inadequacy 
-  Issue:  Underestimating thermal requirements leading to premature failure
-  Solution:  Use proper thermal interface materials and ensure adequate heatsink sizing with thermal calculations

 Pitfall 3: EMI Generation 
-  Issue:  High dv/dt rates can generate significant electromagnetic interference
-  Solution:  Implement proper filtering and shielding, use gate resistors to control switching speed

 Pitfall 4: Avalanche Energy Mismanagement 
-  Issue:  Exceeding maximum avalanche energy ratings during fault conditions
-  Solution:  Design protection circuits and ensure proper derating for worst-case scenarios

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Drivers: 
- Compatible with standard MOSFET/IGBT gate drivers
- Recommended gate driver ICs: IR2110, IRS21864, UCC27511
- Ensure adequate drive capability for parallel configurations

 Control ICs: 
- Works well with popular PFC controllers

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