The 8550 is a PNP epitaxial silicon planar transistor desigend The part 8550C is a transistor manufactured by NEC. According to NEC specifications, it is a PNP silicon epitaxial planar transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -25V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -40V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W (at Ta = 25°C)
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature Range (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -1V, IC = -150mA)
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (min)

These specifications are based on the NEC datasheet for the 8550C transistor. Always refer to the official datasheet for precise and detailed information.

The 8550 is a PNP epitaxial silicon planar transistor desigend The part 8550C is manufactured by C/ST, and its specifications include:

- **Material:** Typically made from high-quality materials suitable for its intended application.
- **Dimensions:** Specific dimensions as per the design requirements.
- **Tolerances:** Manufactured to precise tolerances to ensure proper fit and function.
- **Surface Finish:** May include specific surface finish requirements depending on the application.
- **Certifications:** May comply with industry standards or certifications relevant to its use.

For exact specifications, refer to the manufacturer's documentation or datasheet.