Input Rectifier Diode, 80 A The part 80EPS16 is manufactured by International Rectifier (IR). It is a power MOSFET with specific electrical characteristics, including a drain-source voltage (V_DS) of 800V, a continuous drain current (I_D) of 16A, and a power dissipation (P_D) of 300W. The device operates within a junction temperature range of -55°C to 150°C. It features low gate charge and low on-resistance, making it suitable for high-efficiency power conversion applications. The package type is TO-247AC, which is a through-hole package designed for high-power applications.