13IGBT MODULE The part 6MBI75U4B-120 is a 1200V, 75A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module manufactured by FUJI Electric. It is designed for high-power switching applications and features a built-in diode for freewheeling. The module is typically used in industrial applications such as inverters, converters, and motor drives. Key specifications include a maximum collector-emitter voltage (Vces) of 1200V, a continuous collector current (Ic) of 75A, and a maximum junction temperature (Tj) of 150°C. The module is designed for easy mounting and integration into power electronic systems.