6MBI10S-120Manufacturer: FUJI IGBT MODULE(1200V/10A) | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
6MBI10S-120,6MBI10S120 | FUJI | 12 | In Stock |
Description and Introduction
IGBT MODULE(1200V/10A) # Introduction to the 6MBI10S-120 Power Module  
The **6MBI10S-120** is a high-performance **Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) power module** designed for industrial and power electronics applications. This module integrates six IGBTs with anti-parallel diodes, making it suitable for three-phase inverter and converter circuits.   With a voltage rating of **1200V** and a current capacity of **10A**, the 6MBI10S-120 is commonly used in motor drives, renewable energy systems, and industrial automation. Its compact and robust construction ensures efficient thermal management and reliable operation under demanding conditions.   Key features include **low switching losses**, high-speed performance, and built-in temperature monitoring for enhanced protection. The module’s insulated baseplate design simplifies heat dissipation while maintaining electrical isolation, improving system safety and longevity.   Engineers favor the 6MBI10S-120 for its balance of power efficiency and durability, making it a versatile choice for medium-power applications. Whether in AC motor control or power supply units, this module delivers consistent performance with minimal maintenance requirements.   For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure compatibility with your application requirements. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips