Power Transistor Module The part 6DI50M-120 is a power semiconductor module manufactured by FUJI Electric. It is a dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module designed for high-power applications. Key specifications include:

- **Voltage Rating (Vces):** 1200V
- **Current Rating (Ic):** 50A
- **Configuration:** Dual IGBT with anti-parallel diodes
- **Package Type:** Module
- **Mounting Type:** Screw
- **Operating Temperature Range:** Typically -40°C to 150°C
- **Isolation Voltage:** 2500V AC for 1 minute
- **Applications:** Commonly used in inverters, converters, and motor drives

For precise and detailed specifications, always refer to the official datasheet provided by FUJI Electric.