POWER TRANSISTOR MODULE The part 6DI15M-120 is a power semiconductor module manufactured by FUJI Electric. It is a dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module designed for high-power applications. Key specifications include:

- **Voltage Rating (Vces):** 1200V
- **Current Rating (Ic):** 15A
- **Configuration:** Dual IGBT with anti-parallel diodes
- **Package Type:** Module
- **Applications:** Suitable for inverters, converters, and other power control systems
- **Thermal Resistance (Rth(j-c)):** Typically low to ensure efficient heat dissipation
- **Mounting:** Screw or pressure mounting

These specifications make the 6DI15M-120 suitable for industrial and commercial applications requiring robust and reliable power switching.