5HN02M The part number 5HN02M is a power MOSFET manufactured by SANYO. It is designed for high-speed switching applications. The key specifications of the 5HN02M MOSFET are as follows:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 60V
- **Continuous Drain Current (Id):** 5A
- **Pulsed Drain Current (Idm):** 20A
- **Power Dissipation (Pd):** 30W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.2Ω (max) at Vgs = 10V
- **Threshold Voltage (Vgs(th)):** 1V to 2.5V
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typ)
- **Output Capacitance (Coss):** 100pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF (typ)
- **Switching Time (td(on)):** 10ns (typ)
- **Switching Time (td(off)):** 25ns (typ)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 5HN02M MOSFET and are subject to variation based on operating conditions and manufacturing tolerances.