Ultrahigh-Speed Switching Applications The 5HN01C is a power MOSFET manufactured by SANYO. It is designed for high-speed switching applications and is commonly used in power supply circuits, motor control, and other high-efficiency power conversion systems. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 60V
- **Continuous Drain Current (Id):** 30A
- **Pulsed Drain Current (Idm):** 120A
- **Power Dissipation (Pd):** 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.019Ω (typical) at Vgs = 10V
- **Gate Charge (Qg):** 25nC (typical) at Vgs = 10V
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-220AB

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environmental factors.