t(pd): 25ns; t(s): 15ns; t(co): 15ns; -2.0 to +7.0V; Vcc power supply: 5V +-10%; output short circuit current: 120mA; integrated UV erase dose: 7258W sec/cm2; high speed UV erasable programmable logic device The part number 5962-8753901LA is manufactured by Cypress Semiconductor (CYP). It is a radiation-hardened, high-reliability device designed for use in space and other harsh environments. The part is a 64K x 8 radiation-hardened CMOS static RAM with a 5V operating voltage. It features a 28-pin ceramic dual in-line package (DIP) and is qualified to MIL-PRF-38535 Class V standards. The device offers high-speed access times, typically 25 ns, and is designed to withstand total ionizing dose (TID) radiation levels up to 300 krad(Si). It also provides single-event latch-up (SEL) immunity and single-event upset (SEU) tolerance, making it suitable for critical aerospace and defense applications.

t(pd): 25ns; t(s): 15ns; t(co): 15ns; -2.0 to +7.0V; Vcc power supply: 5V +-10%; output short circuit current: 120mA; integrated UV erase dose: 7258W sec/cm2; high speed UV erasable programmable logic device The part number 5962-8753901LA is a military-grade integrated circuit (IC) manufactured by N/A. It is designed to meet the stringent requirements of military and aerospace applications, ensuring high reliability and performance under extreme conditions. The specific technical specifications for this part, such as operating temperature range, voltage ratings, and packaging details, are typically outlined in the associated datasheet or technical documentation provided by the manufacturer. For precise details, it is recommended to refer to the official datasheet or contact the manufacturer directly.