100V 5.5A Schottky Discrete Diode in a D-Pak package The part 50WQ10FNTRL is manufactured by Infineon Technologies. According to Ic-phoenix technical data files, the IR specifications for this part are as follows:

- **Continuous Drain Current (ID):** 50A
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V
- **RDS(on) (Max) @ VGS, ID:** 10mΩ @ 10V, 25A
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V
- **Power Dissipation (PD):** 200W
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C

These specifications are based on the datasheet provided by Infineon Technologies for the 50WQ10FNTRL MOSFET.