30V 5.5A Schottky Discrete Diode in a D-Pak package The part 50WQ03FNTR is manufactured by Infineon Technologies. It is a 500V, 50A N-channel MOSFET with a maximum drain-source voltage (V_DS) of 500V and a continuous drain current (I_D) of 50A. The device features a low on-resistance (R_DS(on)) of 0.03 ohms, which helps in reducing conduction losses. It is designed for high-speed switching applications and is suitable for use in power supplies, motor control, and other high-efficiency power conversion systems. The MOSFET operates within a junction temperature range of -55°C to 150°C. It comes in a TO-247 package, which is a through-hole mounting type. The gate threshold voltage (V_GS(th)) typically ranges from 2V to 4V, and the total gate charge (Q_g) is typically 120nC. The device also has a low input capacitance (C_iss) of 5200pF, which contributes to its fast switching performance.