Silicon N-Channel Power MOS FET Array The part 4AK26 is manufactured by HIT (Hitachi). It is a power semiconductor device, specifically a thyristor (SCR - Silicon Controlled Rectifier). The key specifications for the 4AK26 include:

- **Voltage Rating (VDRM/VRRM):** 2600V
- **Current Rating (IT(AV)):** 4A (average forward current)
- **Gate Trigger Current (IGT):** Typically in the range of 10-50mA
- **Gate Trigger Voltage (VGT):** Typically around 1.5V
- **On-State Voltage (VTM):** Typically around 1.7V at rated current
- **Critical Rate of Rise of Off-State Voltage (dv/dt):** Typically around 1000V/µs
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C

These specifications are typical for the 4AK26 thyristor and are used in various power control applications.