RF Dual Gate FETs The part number 3SK320 is a dual-gate MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-frequency applications, particularly in VHF (Very High Frequency) and UHF (Ultra High Frequency) bands. The 3SK320 is commonly used in RF (Radio Frequency) amplifiers, mixers, and other high-frequency circuits. Key specifications include:

- **Type**: N-channel dual-gate MOSFET
- **Package**: TO-72 (metal can package)
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: Typically around 20V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: Typically around ±8V
- **Drain Current (Id)**: Typically around 30mA
- **Power Dissipation (Pd)**: Typically around 200mW
- **Transition Frequency (ft)**: High, suitable for VHF/UHF applications
- **Noise Figure**: Low, making it suitable for sensitive RF applications

These specifications make the 3SK320 suitable for use in communication equipment, such as radios and televisions, where high-frequency performance and low noise are critical.