Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier The part 3SK319YB-TL-E is a dual N-channel MOSFET manufactured by Renesas. Key specifications include:

- **Type**: Dual N-channel MOSFET
- **Package**: SOT-363 (SC-88)
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 20V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±8V
- **Drain Current (Id)**: 1.5A
- **Power Dissipation (Pd)**: 200mW
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.35Ω (typical) at Vgs = 4.5V, Id = 1.5A
- **Threshold Voltage (Vth)**: 0.6V (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

This MOSFET is designed for low-voltage, high-speed switching applications.