Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier The part number 3SK318 is a dual-gate MOSFET manufactured by Renesas Electronics. It is designed for use in high-frequency applications, such as RF amplifiers and mixers. Key specifications include:

- **Type**: N-channel dual-gate MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 20V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±8V
- **Drain Current (Id)**: 30mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 300mW
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C
- **Package**: TO-72 (metal can package)

The 3SK318 is known for its low noise and high gain characteristics, making it suitable for RF and VHF applications.