Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier The part number 3SK317 is a dual-gate MOSFET manufactured by Renesas. It is designed for use in high-frequency applications, particularly in RF amplifiers and mixers. Key specifications include:

- **Type**: N-channel dual-gate MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 15V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±8V
- **Drain Current (Id)**: 30mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 200mW
- **Input Capacitance (Ciss)**: 2.5pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 1.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 0.03pF (typical)
- **Transition Frequency (ft)**: 1.2GHz (typical)
- **Package**: TO-72

These specifications make the 3SK317 suitable for low-noise, high-gain applications in RF circuits.