Silicon N Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier The 3SK300ZR-TL-E is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Renesas Electronics. Below are the key specifications based on Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: N-Channel MOSFET
2. **Package**: SOP-8
3. **Drain-Source Voltage (Vds)**: 30V
4. **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
5. **Drain Current (Id)**: 10A
6. **Power Dissipation (Pd)**: 2W
7. **On-Resistance (Rds(on))**: 9.5mΩ (typical) at Vgs = 10V
8. **Threshold Voltage (Vth)**: 1.0V (typical)
9. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
10. **Applications**: Suitable for power management, load switching, and other low-voltage, high-efficiency applications.

These specifications are typical for the 3SK300ZR-TL-E MOSFET and are subject to the datasheet provided by Renesas Electronics.