RF AMP. FOR UHF TV TUNER N-CHANNEL GaAs DUAL-GATE MES FIFLD-EFFECT TRANSISTOR 4 PIN SMALL MINI MOLD The 3SK299 is a dual-gate MOSFET manufactured by NEC. It is designed for use in RF and VHF applications, particularly in mixers and amplifiers. The device features low noise and high gain characteristics, making it suitable for high-frequency signal processing. Key specifications include a maximum drain-source voltage (Vds) of 20V, a maximum gate-source voltage (Vgs) of ±8V, and a typical transconductance (gm) of 20mS. The 3SK299 operates within a temperature range of -55°C to +125°C. It is housed in a TO-72 package.