4-pin small type dual gate MESFET NF=1 The part 3SK299-T1 is a semiconductor device manufactured by NEC. It is a high-frequency, low-noise amplifier transistor designed for use in RF applications. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Frequency Range**: Up to 1 GHz
- **Noise Figure**: Typically 1.5 dB at 900 MHz
- **Gain**: Typically 13 dB at 900 MHz
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 15 V
- **Collector Current (Ic)**: 50 mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 150 mW
- **Package**: TO-92

These specifications make it suitable for applications in VHF/UHF amplifiers, RF front-end circuits, and other high-frequency signal processing tasks.