Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET The part 3SK298 is a dual-gate MOSFET manufactured by Renesas. It is designed for use in RF amplifier applications, particularly in VHF and UHF bands. Key specifications include:

- **Type**: N-channel dual-gate MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 20V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±8V
- **Drain Current (Id)**: 30mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 300mW
- **Input Capacitance (Ciss)**: 3.5pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 1.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 0.03pF (typical)
- **Transition Frequency (ft)**: 1.2GHz (typical)
- **Package**: TO-72

These specifications make the 3SK298 suitable for low-noise amplification and mixing in RF circuits.

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET The part 3SK298 is manufactured by HITACHI. It is a high-speed switching transistor designed for use in high-frequency applications. The transistor is characterized by its low collector-emitter saturation voltage and high current gain, making it suitable for switching and amplification purposes. The 3SK298 is typically used in RF amplifiers, oscillators, and other high-frequency circuits. Specific electrical characteristics include a maximum collector current (Ic) of 50 mA, a maximum collector-emitter voltage (Vce) of 15 V, and a transition frequency (ft) of up to 1 GHz. The device is available in a small surface-mount package, which is ideal for compact electronic designs.