Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET The part 3SK297ZP-TL-E is a P-channel MOSFET manufactured by HITACHI. Below are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** -30V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** -12A
- **Power Dissipation (Pd):** 2W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.035Ω (typical) at Vgs = -10V
- **Package:** SOP-8
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

This MOSFET is designed for applications requiring high efficiency and low on-resistance, commonly used in power management and switching circuits.

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET The part **3SK297ZP-TL-E** is manufactured by **Renesas Electronics Corporation**. It is a **P-channel MOSFET** with the following key specifications:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** -30V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** -5.5A
- **Power Dissipation (Pd):** 1.5W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 50mΩ (typical) at Vgs = -10V
- **Package:** SOT-523 (SC-89)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

This MOSFET is designed for applications requiring low on-resistance and compact packaging, suitable for portable devices and power management systems.