N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TV TUNER/ UHF RF AMPLIFIER APPLICAITONS) The part 3SK293 is a dual-gate MOSFET manufactured by Siemens. The key TOS (Technical Operating Specifications) for the 3SK293 include:

- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±8V
- **Drain Current (ID):** 30mA
- **Power Dissipation (PD):** 300mW
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C
- **Input Capacitance (Ciss):** 2.5pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 1.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 0.05pF (typical)

These specifications are based on the datasheet provided by Siemens for the 3SK293 dual-gate MOSFET.

N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TV TUNER/ UHF RF AMPLIFIER APPLICAITONS) The part number 3SK293 is a dual-gate MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-frequency applications, such as RF amplifiers and mixers. The key specifications for the 3SK293 include:

- **Type:** N-channel dual-gate MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds):** 20V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±8V
- **Drain Current (Id):** 30mA
- **Power Dissipation (Pd):** 200mW
- **Input Capacitance (Ciss):** 2.5pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 1.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 0.05pF (typical)
- **Transition Frequency (ft):** 1.5GHz (typical)
- **Package:** TO-72 (metal can package)

These specifications are typical for the 3SK293 and may vary slightly depending on the specific operating conditions and manufacturing tolerances.