N CHANNEL DUAL GATE MES TYPE (TV TUNER/ UHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS) The part 3SK284 is a dual-gate MOSFET manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF amplifier applications, particularly in VHF and UHF bands. The key specifications include:

- **Type:** N-channel dual-gate MOSFET
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±8V
- **Drain Current (ID):** 30mA
- **Power Dissipation (PD):** 300mW
- **Input Capacitance (Ciss):** 4.5pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 1.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 0.03pF (typical)
- **Transition Frequency (fT):** 1200MHz (typical)
- **Package:** TO-72

These specifications make the 3SK284 suitable for high-frequency amplification and mixing applications.