RF Dual Gate FETs The part number 3SK274 is a dual-gate MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-frequency applications, such as RF amplifiers and mixers. The key specifications for the 3SK274 include:

- **Type:** N-channel dual-gate MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds):** 15V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±8V
- **Drain Current (Id):** 30mA
- **Power Dissipation (Pd):** 200mW
- **Input Capacitance (Ciss):** 2.5pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 1.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 0.05pF (typical)
- **Transition Frequency (ft):** 1200MHz (typical)
- **Package:** TO-72 (metal can package)

These specifications make the 3SK274 suitable for low-power, high-frequency applications where low noise and high gain are required.