RF Dual Gate FETs The part number 3SK259 is a dual-gate MOSFET manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-frequency applications, particularly in VHF and UHF bands. The key specifications include:

- **Type**: N-channel dual-gate MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 20V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±8V
- **Drain Current (Id)**: 30mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 300mW
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C
- **Package**: TO-72

The 3SK259 is commonly used in RF amplifiers, mixers, and other high-frequency circuits due to its low noise and high gain characteristics.