RF Dual Gate FETs The part number 3SK258 is a dual-gate MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-frequency applications, such as RF amplifiers and mixers. The key specifications for the 3SK258 include:

- **Type**: N-channel dual-gate MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 15V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±8V
- **Drain Current (Id)**: 30mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 200mW
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1.8pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 0.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 0.03pF (typical)
- **Transition Frequency (ft)**: 1.5GHz (typical)
- **Package**: TO-72

These specifications make the 3SK258 suitable for low-power, high-frequency applications where minimal capacitance and high transition frequency are critical.