RF AMPLIFIER FOR UHF TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD The 3SK255 is a dual-gate MOSFET manufactured by Siemens. It is designed for use in RF amplifier applications, particularly in VHF and UHF bands. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V
- **Drain Current (I_D):** 30mA
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW
- **Input Capacitance (C_iss):** 1.5pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss):** 0.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 0.03pF (typical)
- **Transition Frequency (f_T):** 5.5GHz (typical)
- **Noise Figure (NF):** 1.5dB (typical at 200MHz)
- **Package:** SOT-143

These specifications make the 3SK255 suitable for low-noise amplification in communication and broadcast equipment.

RF AMPLIFIER FOR UHF TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD The part 3SK255 is a semiconductor device manufactured by NEC. It is a high-speed, low-power Schottky TTL (Transistor-Transistor Logic) device. The 3SK255 is designed for use in high-speed digital circuits and is characterized by its low power consumption and high-speed operation. It is typically used in applications such as computers, telecommunications, and other digital systems where fast switching and low power dissipation are critical. The device is available in various package types, including surface-mount and through-hole configurations, to accommodate different design requirements.