RF AMPLIFIER FOR UHF TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD The part 3SK253 is a semiconductor device manufactured by NEC. It is a P-channel MOS FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** -30V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** -5.5A
- **Power Dissipation (Pd):** 30W
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-220AB

These specifications are typical for the 3SK253, and it is designed for use in various electronic applications requiring P-channel MOSFETs.