Field Effect Transistor Silicon N Channel Dual Gate MOS Type TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications FM Tuner Applications The part number 3SK226 is a field-effect transistor (FET) manufactured by Toshiba. It is a dual-gate MOSFET designed for use in RF and VHF applications. Key specifications include:

- **Type**: N-channel dual-gate MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 20V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±8V
- **Drain Current (Id)**: 30mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 200mW
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C
- **Package**: TO-72

This transistor is commonly used in RF amplifiers, mixers, and other high-frequency circuits.