Dual-gate MOS FET The part 3SK222-T2 is a semiconductor device manufactured by NEC. It is a dual N-channel MOS FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V DSS):** 60V
- **Gate-Source Voltage (V GS):** ±20V
- **Drain Current (I D):** 3A
- **Power Dissipation (P D):** 1.5W
- **On-Resistance (R DS(on)):** 0.4Ω (typical)
- **Input Capacitance (C iss):** 60pF (typical)
- **Output Capacitance (C oss):** 25pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C rss):** 10pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t d(on)):** 10ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t d(off)):** 20ns (typical)
- **Rise Time (t r):** 10ns (typical)
- **Fall Time (t f):** 10ns (typical)

The device is housed in a TO-220AB package, which is a common through-hole package for power transistors. It is suitable for use in power management, motor control, and other high-speed switching applications.