Field Effect Transistor Silicon N Channel Dual Gate MOS Type TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications The part number 3SK207 is a dual-gate MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF (Radio Frequency) applications, particularly in VHF (Very High Frequency) and UHF (Ultra High Frequency) bands. The 3SK207 is known for its low noise figure and high gain, making it suitable for use in amplifiers and mixers in communication equipment.

Key specifications of the 3SK207 include:
- **Drain-Source Voltage (Vds):** 15V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±8V
- **Drain Current (Id):** 30mA
- **Power Dissipation (Pd):** 150mW
- **Noise Figure (NF):** Typically 1.5dB at 200MHz
- **Gain (Gfs):** Typically 20mS at Vds = 10V, Id = 10mA
- **Input Capacitance (Ciss):** Typically 2.5pF
- **Output Capacitance (Coss):** Typically 1.2pF
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** Typically 0.05pF

The 3SK207 is available in a TO-72 package, which is a metal can package with three leads. It is designed for surface-mount technology (SMT) applications.

Please note that this information is based on the general specifications of the 3SK207 as provided by Toshiba, and actual performance may vary depending on the specific application and operating conditions.