Field Effect Transistor Silicon N Channel Dual Gate MOS Type TV Tuner, VHF RF Amplifier Applications The part number 3SK199 is a dual-gate MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-frequency applications, such as RF amplifiers and mixers. The key specifications of the 3SK199 include:

- **Type**: N-channel dual-gate MOSFET
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 15V
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±8V
- **Drain Current (ID)**: 30mA
- **Power Dissipation (PD)**: 150mW
- **Input Capacitance (Ciss)**: 2.5pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 1.2pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 0.03pF (typical)
- **Transition Frequency (fT)**: 1.5GHz (typical)
- **Package**: TO-72 (metal can package)

These specifications are typical for the 3SK199 and are subject to variation based on operating conditions and manufacturing tolerances.